専門的な知識

半導体レーザーは 1962 年に発明され、1970 年にダブルヘテロ構造による連続波動作を実現し、光通信の中核光源となりました。 InGaAsP/InP システムは 1300/1550 nm の低損失通信帯域をサポートしており、MOCVD が主流の製造技術となっています。

Box Optronics の 840nm 5mW 10nm 帯域幅 SLED ブロードバンド光源モジュールは、従来の高出力ブロードバンド モデルと比較して、より純粋なスペクトル、低消費電力、低コストを実現し、特定のアプリケーション シナリオに合わせた高性能製品となっています。